دو متغییر از GMR در ابزار  بکاربرده می شود، جریان در صفحه ، جائیکه جریان الکتریکی موازی با لایه ها شارش می کند و جریانی الکتریکی که عمود بر لایه های مغناطیسی  شارش می کند  جریان عمود بر صفحه نام دارد. ساختاری که بدین گونه رفتار میکند والو اسپینی نامیده میشود، این والوها نانوساختارهایی با لایه هایی از مواد نانومغناطیسی  ساخته میشوند. سایز نوعی این لایه ها از مرتبه 10 تا 100 نانومتر و حتی کمتر است. موادی که بیشتر برای لایه های فرومغناطیسی استفاده می شوند کبالت یا یک آلیاژ از نیکل و آهن که به پرمالوی معروفند، هستند.  لایه جدا کننده غیر مغناطیسی میتواند از هر فلز غیر مغناطیسی مانند مس Cu باشد. البته در عمل محدودیتهای تکنیکی وجود دارد.

جریان در والو اسپینی میتواند در دو راستا بکار برده شود، 1-  عمود بر لایه های مغناطیسی و جداکننده که والو اسپینی CPP نام دارد. 2- جریان موازی با صفحه که به والو اسپینی CIP معروف است. در شکل زیر می توان شکل یک والو اسپینی نوع  CPPرا در دو الت باز و بسته مشاهده کرد.  

وضعیتی را در نظر میگیریم که لایه های فرومغناطیسی والو اسپینی آنقدر کوچک باشند بطوریکه مغناطش درون لایه مغناطیسی تغییر نکند. در یک آزمایش، یکی از این لایه های فرومغناطیسی را ثابت در نظر می گیریم ، یعنی راستای بردار مغناطش که در شکل باΩ1 نشان داده شده ثابت باشد. البته چطور این لایه به این حالت در خواهد آمد یک موضوع ویژه در فیزیک کاربردی است. لایه مغناطیسی دیگر در والو اسپینی که با Ω2 نشان داده شده است به فرو مغناطیس آزاد معروف است یعنی بردار مغناطش آن مجاز است در هر راستایی قرار گیرد.  یک میدان مغناطیسی خارجی، زیر مقدار  آستانه ، می تواند راستای مغناطش فرومغناطیس آزاد را  تغییر دهد، البته توجه کنید که راستای لایه ها یک درمیان عوض نمی شوند زیرا مغناطش آنها ثابت شده است. این عملکرد به پدیده ای بنام مقاومت مغناطیسی غوا آساGMR  منجر می شود. حالت مغناطیسی یک والو اسپینی را می توان با بکار بردن یک جریان الکتریکی و بدون استفاده از میدان مغناطیسی عوض کرد. این پدیده به وضوح در نمودار زیر نشان داده شده است.